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RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀

  • 簡(jiǎn)單描述
  • RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
  • 更新時(shí)間:  2024-10-20
  • 產(chǎn)品型號(hào):  RTS-2/RTS-2A
詳細(xì)介紹

  RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
    本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶(多晶)生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型,區(qū)別:測(cè)量范圍不一樣。

技術(shù)參數(shù):

 RTS-2測(cè)量范圍

 電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;  
 方塊電阻:0.1~19999Ω/□; 

 RTS-2A測(cè)量范圍

 電阻率:0.001~199.99Ω.cm;  
 方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□; 

RTS-2恒流源

 電流量程分為100μA、1mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

RTS-2A恒流源

 電流量程分為1mA、10mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

 量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
 分辨力:10μV;
 輸入阻抗:>1000MΩ;
 精度:±0.1% ;
 顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;

四探針探頭基本指標(biāo)

 間距:1±0.01mm;
 針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 
 機(jī)械游移率:≤0.3%;
 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
 探針壓力:5~16 牛頓(總力);

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

 (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)

 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差

(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

 ≤5%

外型尺寸

 125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

 溫度:23±2℃;
 相對(duì)濕度:≤65%;
 無高頻干擾;
 無強(qiáng)光直射;
配置

四探針測(cè)試儀主機(jī)、FT-202型四探針探頭

4500/套
配置

四探針測(cè)試儀主機(jī)、FT-202型四探針探頭、S-2B型測(cè)試臺(tái)

5800/套

 


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